달링턴
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작성일 20-12-06 07:09본문
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달링턴
목차
實驗 headline(제목), 동기 및 목적
달링턴쌍 理論(이론)
實驗준비물 및 實驗절차
實驗결과 및 Simulation 결과
달링턴(Darlington)쌍을 이용한 달링턴 증폭회로 實驗
實驗 동기
實驗 목적
달링턴쌍이란
두 개의 트랜지스터를 접속하여 하나의 트랜지스터로 동작 시키는 결합
달링턴 결합
實驗준비물 및 實驗절차
實驗회로
달링턴 증폭회로
공통-이미터 증폭회로
회로 구성
實驗준비물 및 實驗절차
트랜지스터
Q2N3904 (x2)
저항 100㏀, 56㏀, 47㏀, 10㏀(x2), 1㏀(x2), 220Ω
커패시터100㎌(x3), 47㎌
DC전원장치
함수발생기
오실로스코프
멀티테스터
實驗준비물
實驗준비물 및 實驗절차
직류파라미터 값 측정(measurement)
두 회로의 VBE(Q1,Q2,전체), VB, VE, VC, IB, IC, IE 를 측정(measurement)한다.
입력출력파형 및 전압이득 측정(measurement)
주어진 기본회로
바이패스 커패시터를 제거한 회로
...
목차
實驗 headline(제목), 동기 및 목적
달링턴쌍 理論(이론)
實驗준비물 및 實驗절차
實驗결과 및 Simulation 결과
달링턴(Darlington)쌍을 이용한 달링턴 증폭회로 實驗
實驗 동기
實驗 목적
달링턴쌍이란
두 개의 트랜지스터를 접속하여 하나의 트랜지스터로 동작 시키는 결합
달링턴 결합
實驗준비물 및 實驗절차
實驗회로
달링턴 증폭회로
공통-이미터 증폭회로
회로 구성
實驗준비물 및 實驗절차
트랜지스터
Q2N3904 (x2)
저항 100㏀, 56㏀, 47㏀, 10㏀(x2), 1㏀(x2), 220Ω
커패시터100㎌(x3), 47㎌
DC전원장치
함수발생기
오실로스코프
멀티테스터
實驗준비물
實驗준비물 및 實驗절차
직류파라미터 값 측정(measurement)
두 회로의 VBE(Q1,Q2,전체), VB, VE, VC, IB, IC, IE 를 측정(measurement)한다.
입력출력파형 및 전압이득 측정(measurement)
주어진 기본회로
바이패스 커패시터를 제거한 회로
바이패스 커패시터를 100㎌로 대체한 회로
R6(출력단 저항)을 1㏀으로 대체한 회로
R6(출력단 저항)을 100㏀으로 대체한 회로
Iin, Iout Simulation
實驗결과 및 Simulation 결과
직류파라미터
달링턴 증폭회로
공통-이미터 증폭회로
측정(measurement)
Simulation
측정(measurement)
Simulation
VBE
Q1
0.56V
0.57V
0.70V
0.71V
Q2
0.69V
0.71V
전체
1.25V
1.28V
VB
2.57V
2.62V
2.30V
2.28V
VE
1.31V
1.33V
1.03V
1.57V
VC
9.06V
8.91V
7.71V
7.90V
IB
0.3㎂
0.4㎂
0.04㎃
0.04㎃
IE
5.88㎃
6.08㎃
7.36㎃
7.36㎃
IC
6.13㎃
6.08㎃
7.23㎃
7.23㎃
實驗결과 및 Simulation 결과
달링턴 증폭회로
공통 이미터
증폭회로
측…(skip)
순서
달링턴 , 달링턴기타실험결과 , 달링턴
Download : 달링턴.ppt( 42 )
설명
달링턴
달링턴,기타,실험결과
실험결과/기타
다.