MOS 전계효과(效果) 트랜지스터
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작성일 22-09-27 23:24본문
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p채널의 경우는 그림의 VG의 극성을 바꾸면 된다
4. 단채널 效果
채널 길이가 짧게 되면 다음과 같은 원인(原因) 때문에 동작 特性에서 멀어진 特性이 나타난다. 이것에 상대하여 절연물-반도체의 경계에 있는 계면 상태 등에 의해서 반도체 표면의 에너지대가 만곡되어 게이트 전압을 인가하지 않아도 반전이 일어나 채널이 형성되어 있는 경우가 있따 이것을 공핍형(depletion type)이라 한다.
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3. 증가형과 공핍형
게이트 전압을 인가해서 채널이 형성된 MOS transistor(트랜지스터) 를 증가형(enhancement type)이라 한다.
n채널 MOS transistor(트랜지스터) 의 증가형과 공핍형의 ID-VG 特性과 함께 ID-VD 特性을 그림에 나타낸다.
채널길이가 감소해 소스 및 드레인 접합의 공핍층의 넓이가 채널길이가 같은 정도로 된다 이 경우 채널 내의 전위 분포는 게이트 전압에 의한 가로 방향 전계 및 드레인 전압에 의한 세로 방향 전계에 …(drop)
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