[전자] [기초 전자工學(공학) 실험] 다이오드 실험 결과 보고서
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작성일 23-01-29 17:35
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Download : 2차 결과_다이오드.doc
(1) DMM
기본적인 내용이 모두 들어가 있으며 풍부한 양의 고찰을 적었습니다.
(2) Si, Ge 다이오드
1. experiment(실험) 목적
- 실리콘과 게르마늄의 다이오드의 문턱 전압을 측정한다.
DMM으로 다이오드의 상태를 알 수 있는데, 순방향 바이어스에 연결되면, 2mA 근처의 전류에서 다이오드에 나타나는 순방향 전압을 표기하고, 역방향 바이어스에 연결되면, 개방회로임을 보여주는 OL이 나타난다.
공급기 : 직류전원 공급기
- 다이오드의 순방향 및 역방향의 전압-전류 속성 을 이해한다.
순서
계측 장비 : DMM
전자실험 레포트 실험 결과레포트 기초전자고찰
점화전위 또는 문턱전압은 곡선에 접하는 직선의 연장으로 수평축에서 만나는 점, VT이다. 또한 저항을 측정함으로써 순방향과 역방향을 구분할 수 있다
다.
실리콘과 게르마늄 다이오드의 속성 을 익힌다.
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순방향 바이어스 영역에서 전류는 다이오드 전압이 증가함에 따라 급격히 증가하는데, 1V 이하의 순방향 바이어서 전압에서 거의 수직으로 증가한다.
3. theory 개요
[기초 전자工學(공학) 실험] 다이오드 실험 결과 보고서
설명
[기초 전자공학 실험] 다이오드 실험 결과 레포트 기본적인 내용이 모두 들어가 있으며 풍부한 양의 고찰을 적었습니다. 다이오드 Si(1개), Ge(1개)
역방향 바이어스 영역에서 역포화 전류는 0V에서 제너전위까지 거의 일정하다.
[전자] [기초 전자工學(공학) 실험] 다이오드 실험 결과 보고서
2. experiment(실험) 장비
부품 : 저항 1KΩ(1개), 1MΩ(1개)
Download : 2차 결과_다이오드.doc( 97 )
기본으로 전압, 전류, 저항을 측정할 수 있고, 그 외에 주파수, 다이오드, 온도,캐패시턴스 등 많은 부가 측정모드를 갖추고 있다 측정 원리는 옴의 법칙을 따른다.
